| 摘要 |
一种半导体封装件及其制法，系在一金属载具上敷设一第一阻层，并于该第一阻层中开设多数贯穿之开口，以于该开口中形成导电金属层，接着移除该第一阻层，并于该金属载具上具导电金属层之一侧覆盖一介电层，且令该介电层形成有盲孔(blind via)以露出部分导电金属层，再于该介电层上形成导电线路及于该盲孔中形成导电柱，以使该导电线路透过该导电柱而电性连接至该导电金属层，俾供该导电线路及导电金属层利用导电柱与该介电层有效接合，避免知脱层问题，再者该介电层中仅形成小尺寸之盲孔，以避免知形成大尺寸开口所造成制程不便及成本增加问题，之后将至少一晶片电性连接至该导电线路，且形成一包覆该晶片及导电线路之封装胶体，及移除该金属载具，进而形成毋需晶片承载件之半导体封装件。 |
