| 摘要 |
本发明系揭示一种半导体零件及制造方法，该半导体零件包括一绝缘闸双极电晶体(IGBT)(100)，其包括具有一第一传导类型之一半导体基板(110)，及具有一第二传导类型之埋入式半导体区域(115)，其位于该半导体基板上方。该IGBT尚包括具有该第一传导类型之复数个第一半导体区域(120)、具有该第一传导类型之复数个第二半导体区域(130)，及具有该第二传导类型之复数个第三半导体区域(140)。在制造期间，具有该第二传导类型之一沈锤区域(142)设置于一第三半导体区域及一第一半导体区域中，以界定该等复数个区域，及连接该埋入式半导体区域至该等复数个第三半导体区域。具有该第一传导类型之一射极(150)设置于该等第三半导体区域之一者中，具有该第一传导类型之一集极(170)设置于该等第三半导体区域之另一者中。设置一多晶场板(162)，及连接该多晶场板(162)至该集极(170)。在一特殊实施例中，该等复数个第三半导体区域及该埋入式半导体区域使该等复数个第一半导体区域空乏，以回应施至该等复数个第二半导体区域与该等复数个第三半导体区域间之一逆向偏压电位。 |
