| 摘要 |
本发明是一种半导体装置之制造方法，可以以良好之良率制造半导体装置，利用沟道型元件分离构造可以确实地进行元件分离，而且可以有效地防止邻接之元件之电位对其他之节点的影响，所进行之步骤包含有：在基板上形成第1层；对第1层和基板进行蚀刻，用来形成沟道；对沟道之内壁进行热氧化；在包含沟道内部之基板上，堆积膜厚为该沟道之沟道幅度之1/2以上的第1导电性膜；利用CMP法除去第1层上之第1导电性膜，只在沟道内残留第1导电性膜；对沟道内之第1导电性膜进行异向性蚀刻，用来调整该导电性膜之高度，使其低于基板之表面高度；利用CVD法在第1导电性膜上堆积绝缘膜，用来埋入沟道内之第1导电性膜之上部；利用CMP法使绝缘膜平坦化；和除去第1层。 |
