发明名称 三维堆叠晶粒封装结构
摘要 本发明提供一种三维堆叠晶粒封装结构及其制造方法,系利用矽片贯通孔(TSVs)技术在该三维堆叠晶粒封装结构中形成至少一垂直贯穿孔,以建立该三维堆叠晶粒封装结构垂直方向的电性连接,并且利用垫片上盲孔及该等贯穿孔之间重布线(RDL)的设计,将该三维堆叠晶粒封装结构的电性从一第一表面导引至相对的一第二表面。此外,本发明利用导电凸块包覆该等晶粒之间彼此接合的垫片,防此该等垫片断裂,进而提高该三维堆叠晶粒封装结构的可靠度。
申请公布号 TWI389291 申请公布日期 2013.03.11
申请号 TW097117518 申请日期 2008.05.13
申请人 财团法人工业技术研究院 新竹县竹东镇中兴路4段195号 发明人 林俊德;郭子荧;张恕铭
分类号 H01L25/04;H01L23/52 主分类号 H01L25/04
代理机构 代理人 郭雨岚 台北市大安区仁爱路3段136号13楼;林发立 台北市大安区仁爱路3段136号13楼
主权项
地址 新竹县竹东镇中兴路4段195号
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