用于形成具有自行对准特征之沟槽金属氧化物半导体场效电晶体之结构及方法

摘要

依据本发明之一实施例，一种半导体装置系如下来制成。在一矽层上可被除掉矽的曝露表面区域将会被界定。一部份矽层会被除掉来形成一沟槽的中间部段，其会由该矽层的曝露表面区域伸入该矽层内。该矽层上可被除掉矽的添加曝露表面区域嗣会被界定。此添加部份的矽层亦会被除去来形成该沟槽的外侧部段，而使该等外侧部段由该矽层的添加曝露表面区域伸入该矽层内。该沟槽的中间部段会比其外侧部段更深地伸入该矽层内。