| 发明名称 |
半导体装置的制造方法 |
| 摘要 |
本发明系提供一种半导体装置的制造方法，包括：提供一半导体基底；形成一高介电常数介电层于该基底上；形成一富矽薄膜于该高介电常数介电层上；对该富矽薄膜实施一处理步骤，其中至少部分该富矽薄膜藉由导入掺杂物而键结至该高介电常数介电层；以及形成一导电层于该富矽薄膜之上。 |
| 申请公布号 |
TWI389214 |
申请公布日期 |
2013.03.11 |
| 申请号 |
TW096142805 |
申请日期 |
2007.11.13 |
| 申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
发明人 |
余振华;姚亮吉 |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L29/51 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼;颜锦顺 台北市南港区三重路19之6号2楼 |
| 主权项 |
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| 地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
