| 摘要 |
本发明为一种非晶矽锗薄膜结合单晶矽基板之太阳电池结构与制造方法，其包含：P型单晶矽基板、N型非晶矽锗薄膜结构、透明导电层、金属电极、背面电场与背面金属电极层；P型单晶矽基板上具有一粗糙化结构，以作为光捕捉之作用，而N型非晶矽锗薄膜结构为设置于P型单晶矽基板上，透明导电层为设置于N型非晶矽锗薄膜结构上，且金属电极为贯穿透明导电层，并连接N型非晶矽锗薄膜结构上，另外，背面电场设置于P型单晶矽基板下，为避免多数载子在表面复合，而背面金属电极层为设置于背面电场下，以作为背面电极与降低接触电阻之用。 |
