发明名称 介电体陶瓷器组成物、积层复合电子构件、积层共模滤波器、积层陶瓷线圈及积层陶瓷电容
摘要 一种介电体陶瓷器组成物系含有:包含从Zn的单独氧化物或Mg氧化物及Zn氧化物选出之1种、Cu氧化物、Si氧化物做为主成分;以及包含从Si氧化物、Zn氧化物、Ba氧化物、Ca氧化物、Sr氧化物及Li氧化物选出之至少1种、以及B氧化物之玻璃软化点在750℃以下之玻璃成分做为副成分,前述玻璃成分之含有量,对于前述主成分100重量%,为1.5~15重量%。根据本发明,可以提供可相对的减少玻璃成分的含有量,并在低温(例如950℃以下)之烧结为可能,且显示良好之特性(比介电率、f.Q值、绝缘电阻),且异材质同时烧成也为可能之介电体陶瓷器组成物。
申请公布号 TWI388531 申请公布日期 2013.03.11
申请号 TW098115492 申请日期 2009.05.11
申请人 TDK股份有限公司 日本 发明人 梅本周作;铃木孝志;角田晃一;桃井博;高桥圣树;近藤真一
分类号 C04B35/20;H01B3/12;B32B18/00;H01F17/04;H01F5/02;H01G4/12;H01G4/30 主分类号 C04B35/20
代理机构 代理人 洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼
主权项
地址 日本