| 发明名称 |
Ｐ型金属氧化物半导体材料之制备方法 |
| 摘要 |
一种P型金属氧化物半导体材料，具有化学式：LixZn1-xO，其制备方法包括以下步骤：混合一锂盐和一锌盐于一溶剂中，并于溶剂中加入一螯合剂，形成一包括锂和锌之金属错化合物，及将金属错化合物进行热处理，形成化学式为LixZn1-xO之P型金属氧化物半导体之粉末。 |
| 申请公布号 |
TWI388506 |
申请公布日期 |
2013.03.11 |
| 申请号 |
TW097148889 |
申请日期 |
2008.12.16 |
| 申请人 |
财团法人工业技术研究院 新竹县竹东镇中兴路4段195号 |
发明人 |
邱国创;高忆雯;邱显浩 |
| 分类号 |
C01G9/02 |
主分类号 |
C01G9/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼;颜锦顺 台北市南港区三重路19之6号2楼 |
| 主权项 |
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| 地址 |
新竹县竹东镇中兴路4段195号 |
