改善选择性氧化处理之氧化物成长速率的方法

摘要

本发明揭示且请求一种用于半导体元件中含矽材料之选择性氧化的方法。在一态样中，藉由在富氢气气氛中于高压下的原位蒸气产生，快速热处理设备被用来选择性氧化一基板。基板中的其他材料，诸如金属与阻障层，没有被氧化。