| 摘要 |
藉由使用当前技术来制造的金属氧化物半导体(MOS)电晶体可利用闸极介电质(100)上之一氮化程序来提高电晶体可靠性。藉由当前技术之氮化作用包括将该闸极介电质暴露于一氮化作用源，其在该闸极介电质与该电晶体基板(102)之介面处产生一明显浓度的氮，其对电晶体性能造成不良影响。本发明包含以下程序：在氮化(106)作用之前，将一牺牲层(104)沈积于该闸极介电质上；将该牺牲层暴露于一氮化作用源，在此时间期间，氮原子经由该牺牲层扩散进入至该闸极介电质；接着移除该牺牲层而不令该闸极介电质劣化。对于高闸极介电值材料所作之与本发明相关联之工作已证明该闸极介电质与电晶体基板介面处的氮浓度减小20%。 |
