发明名称 提升MOS电晶体散热能力的电路结构
摘要 一种提升MOS电晶体散热能力的电路结构,系应用于一马达,该电路结构系包括一马达驱动单元及一信号处理单元,该信号处理单元系连接该马达驱动单元,透过该信号处理单元分别维持该马达驱动单元的第一、三开关件的导通电压恒定,并再分别提高增大该马达驱动单元的第二、四开关件的导通电压,藉以有效达到提升该第一、二、三、四开关件的散热能力之效果。
申请公布号 TWM448796 申请公布日期 2013.03.11
申请号 TW101219666 申请日期 2012.10.11
申请人 深圳兴奇宏科技有限公司 中国 发明人 姚保林;胡庆武
分类号 H01L23/34 主分类号 H01L23/34
代理机构 代理人 孙大龙 台北市大安区复兴南路2段283号7楼
主权项
地址 中国