非挥发性记忆体及其制造方法

摘要

一种非挥发性记忆体，包括基底、多个掺杂区、第一闸极、导体层、第一接触窗插塞以及介电层。掺杂区配置于该基底中。第一闸极配置于相邻两掺杂区之间的基底上。导体层配置于第一闸极之上方。第一接触窗插塞配置于第一闸极与导体层之间。介电层配置于第一闸极与第一接触窗插塞之间。