发明名称 ИМПУЛЬСНЫЙ СВЧ УСИЛИТЕЛЬ МОЩНОСТИ НА GAN СВЧ ТРАНЗИСТОРАХ
摘要 1. Импульсный СВЧ усилитель мощности на GaN СВЧ транзисторах, включающий входной и выходной суммирующие микрополосковые мосты, в плечах которых установлены GaN СВЧ транзисторы, затворы которых подключены к стабилизатору напряжения, а стоки подключены к быстродействующему импульсному модулятору, содержащему мощный коммутирующий ключ на силовом GaN транзисторе со скоростным драйвером, подключающим сток GaN СВЧ транзисторов к накопительной емкости, мощный разрядный ключ на силовом GaN транзисторе со скоростным драйвером, обеспечивающим разряд емкостей GaN СВЧ транзисторов после отключения коммутирующего ключа и источника питания с широтно-импульсной модуляцией, зарядный ключ на силовом GaN транзисторе со скоростным драйвером, обеспечивающий отключение накопительной емкости и стока GaN СВЧ транзистора от источника питания с широтно-импульсной модуляцией и подключение накопительной емкости к источнику питания с широтно-импульсной модуляцией во время отключения напряжения питания от стоков GaN СВЧ транзисторов коммутирующим ключом.2. Усилитель по п.1, характеризующийся тем, что затворы GaN СВЧ транзисторов подключены к стабилизатору напряжения через микрополосковые фильтры и резистивные делители, а стоки подключены к быстродействующему импульсному модулятору через микрополосковые фильтры.3. Усилитель по п.1, характеризующийся тем, что резистивный делитель питания затвора каждого GaN СВЧ транзистора через диоды подключен к двум стабилизаторам напряжения.
申请公布号 RU125791(U1) 申请公布日期 2013.03.10
申请号 RU20120146606U 申请日期 2012.11.01
申请人 ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ УНИТАРНОЕ ПРЕДПРИЯТИЕ "НАУЧНО-ПРОИЗВОДСТВЕННОЕ ПРЕДПРИЯТИЕ "ПУЛЬСАР" 发明人 Крымко Михаил Миронович;Колковский Юрий Владимирович;Борисов Олег Валерьевич;Глыбин Александр Анатольевич
分类号 H03F3/00 主分类号 H03F3/00
代理机构 代理人
主权项
地址