| 摘要 |
1. Матричный преобразователь терагерцового излучения, состоящий из диэлектрической пленки, на которой со стороны падения терагерцового излучения выполнена частотно избирательная поверхность, а на противоположной стороне нанесен сплошной слой с металлической проводимостью, отличающийся тем, что частотно избирательная поверхность выполнена в виде матрицы фрагментов, с различными топологическими рисунками - пикселей, обеспечивающих различные спектральные и/или поляризационные чувствительности, а на противоположной стороне поверх сплошного слоя с металлической проводимостью нанесен тонкий слой материала, обладающего высокой излучательной способностью в инфракрасной области излучения (эмиссионный слой).2. Матричный преобразователь по п.1, отличающийся тем, что для реализации многоспектрального поляризационно-независимого режима матрица содержит пиксели двух и более типов с поглощающими слоями с изотропной топологией частотно избирательной поверхности, имеющих резонанс для различных длин волн терагерцового излучения.3. Матричный преобразователь по п.1, отличающийся тем, что для реализации многоспектрального поляризационно-чувствительного режима матрица содержит пиксели двух и более типов с поглощающими слоями с анизотропной топологией частотно избирательной поверхности, имеющих резонанс для различных длин волн терагерцового излучения.4. Матричный преобразователь по п.1, отличающийся тем, что для реализации режима спектрофотометра - измерителя спектральной зависимости регистрируемого излучения все пиксели матричной структуры имеют различные спектральные чувствительности в заданном диапазо� |
