| 摘要 |
Procédé de réalisation d'au moins une tranchée d'isolation dans un substrat (1) ayant une surface supérieure (10). Le procédé comprend au moins : - la formation, dans l'épaisseur (E) du substrat (1), d'une première cavité (2) ouverte vers la surface supérieure (10) ; - le remplissage total de cette première cavité (2) avec un matériau diélectrique d'un premier type (3) ; - la formation d'une deuxième cavité (4) dans une portion haute (20) de la première cavité (2) ainsi remplie, ladite deuxième cavité (4) étant ouverte vers la face supérieure (10) et présentant un profil sensiblement concave ; - le remplissage total de cette deuxième cavité (4) avec un matériau diélectrique d'un deuxième type (5) ; et - l'aplanissement de la surface libre (6) de la tranchée sensiblement jusqu'au niveau de la surface supérieure (10).
|
