Optoelektronisches Bauelement

摘要

Es wird ein optoelektronisches Bauelement (11) angegeben, das eine aktive Schicht mit einer Quantentopfstruktur (5) aufweist, wobei die Quantentopfstruktur (5) mindestens eine Barriereschicht (2) aus InyGa1-yN mit 0≤y < 1 und mindestens eine Quantentopfschicht (1) aus InzGa1-zN mit 0≤z < 1 und z y umfasst, wobei in der Quantentopfstruktur (5) mindestens eine Zwischenschicht (3) aus Al1-xIn mit 0≤x≤0,6 enthalten ist, die eine Dicke von weniger als 1,5 nm aufweist.