| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：半导体层；对所述半导体层构图而形成的第一鳍片，对所述半导体层构图而形成的第二鳍片；所述第一鳍片与第二鳍片的顶面持平，二者的底面接于所述半导体层，且第二鳍片的高度高于第一鳍片的高度。根据本发明，能够在同一晶片上集成具有不同尺寸的多个半导体器件，从而能够缩短工艺流程并降低制造费用，并提供具有不同驱动能力的器件。 | ||
| 申请公布号 | CN102956702A | 申请公布日期 | 2013.03.06 |
| 申请号 | CN201110253935.7 | 申请日期 | 2011.08.31 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 朱慧珑;尹海洲;骆志炯 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 王波波 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：半导体层；对所述半导体层构图而形成的第一鳍片，所述第一鳍片具有第一顶面和第一底面；对所述半导体层构图而形成的第二鳍片，所述第二鳍片具有第二顶面和第二底面；其中，所述第一顶面与所述第二顶面持平，所述第一底面和第二底面接于所述半导体层，且所述第二鳍片的高度高于所述第一鳍片的高度。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||