发明名称 空穴注入层/传输层组合物及装置
摘要 应用于HIL/HTL的组合物,其包括固有导电的聚合物、平面化剂和掺杂剂,其溶于非水溶剂。可以使用立体规则性烷基/烷氧基和芳基取代的聚噻吩的嵌段共聚物。可以将该组合物制成薄膜。可以实现优异的效能和寿命稳定性。
申请公布号 CN101679714B 申请公布日期 2013.03.06
申请号 CN200680007564.1 申请日期 2006.02.09
申请人 普莱克斯托尼克斯公司 发明人 特洛伊·D·哈蒙德;肖恩·P·威廉姆斯;埃琳娜·舍伊娜;布赖恩·伍德沃斯;达林·莱尔德;克里斯托弗·格雷科
分类号 C08L41/00(2006.01)I;C08L65/02(2006.01)I;C08L101/12(2006.01)I;C08L65/00(2006.01)I;C08L79/02(2006.01)I;H01L51/50(2006.01)I 主分类号 C08L41/00(2006.01)I
代理机构 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人 高龙鑫
主权项 一种用在空穴注入层或空穴传输层中的混合组合物,其包括以下组分:(i)至少一种固有导电的聚合物,所述固有导电的聚合物是立体规则性3‑取代聚噻吩的均聚物或共聚物,(ii)至少一种导电聚合物的掺杂剂,其中所述掺杂剂选自卤分子、三氯化铁或三氯化金、五氟化砷、次氯酸碱金属盐、质子酸、有机酸、亚硝鎓离子盐、有机氧化剂和高价碘氧化剂;和(iii)至少一种平面化剂,其中所述平面化剂是合成聚合物,所述合成聚合物选自聚(苯乙烯)或聚(苯乙烯)衍生物、聚(乙酸乙烯酯)或其衍生物、聚(乙二醇)或其衍生物、聚(乙烯‑共‑乙酸乙烯酯)、聚(吡咯烷酮)或其衍生物、聚(乙烯基吡啶)或其衍生物、聚(甲基丙烯酸甲酯)或其衍生物、聚(丙烯酸丁酯)或其衍生物;其中当组合物为厚度小于200nm的空穴注入层或空穴传输层的形式时,所述组分可溶于非水溶剂,且配制形成相容的混合物,并且其中所述固有导电的聚合物、所述掺杂剂和所述平面化剂的量分别为0.5wt%~25wt%、0.5wt%~5wt%和0.5wt%~80wt%。
地址 美国宾夕法尼亚