| 发明名称 | CVD反应腔及CVD设备 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种化学气相沉积CVD反应腔，包括：反应腔室；多个托盘，所述多个托盘位于所述反应腔室之内，且所述多个托盘呈间隔排列；设置在所述反应腔室外壁的第一加热装置；和设置在所述反应腔室之内的第二加热装置，所述第二加热装置的加热功率小于所述第一加热装置的加热功率。本发明还提出一种CVD设备，所述CVD设备具有所述CVD反应腔。应用本发明的CVD设备能够使托盘表面温度更加均匀，从而达到MOCVD所需温度。另外，本发明设计简单，易于实现。 | ||
| 申请公布号 | CN102953046A | 申请公布日期 | 2013.03.06 |
| 申请号 | CN201110249627.7 | 申请日期 | 2011.08.26 |
| 申请人 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 张秀川;张建勇;董志清 |
| 分类号 | C23C16/44(2006.01)I;C23C16/46(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/44(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人 | 张大威 |
| 主权项 | 一种化学气相沉积CVD反应腔，其特征在于，包括：反应腔室；多个托盘，所述多个托盘位于所述反应腔室之内，且所述多个托盘呈间隔排列；设置在所述反应腔室外壁的第一加热装置；和设置在所述反应腔室之内的第二加热装置，所述第二加热装置的加热功率小于所述第一加热装置的加热功率。 | ||
| 地址 | 100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号 | ||