| 发明名称 | 用于制造半导体装置的方法和半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于制造半导体装置的方法。在此，通过半导体本体（100 ）的第一侧面（101）向半导体本体（100）内注入掺杂物。然后在该半导体本体（100 ）的第一侧面（101 ）上形成漂移区层（110）。然后从与半导体本体（100 ）的第一侧面（101）相对置的第二侧面（102 ）对该半导体本体（100 ）进行材料去除，直至由掺杂物定义的pn过渡区，或者说由pn过渡区延展得出的空间电荷区，或者由掺杂物定义的掺杂物集中区。 | ||
| 申请公布号 | CN102956448A | 申请公布日期 | 2013.03.06 |
| 申请号 | CN201210281066.3 | 申请日期 | 2012.08.08 |
| 申请人 | 英飞凌科技奥地利有限公司 | 发明人 | 彼得·伊尔西格勒;托马斯·奈德哈特;京特·沙格尔;汉斯-约阿希姆·舒尔茨 |
| 分类号 | H01L21/265(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/265(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 余刚;吴孟秋 |
| 主权项 | 一种用于制造半导体装置的方法，包括：通过半导体本体（100）的第一侧面（101）向所述半导体本体（100）内注入掺杂物（105）；并且然后在所述半导体本体（100）的所述第一侧面（101）上形成漂移区层（110）；并且从与所述半导体本体（100）的所述第一侧面（101）相对置的第二侧面（102）对所述半导体本体（100）进行材料去除，直至由所述掺杂物（105）定义的pn过渡区，或者说由所述pn过渡区限定得出的空间电荷区，或者由所述掺杂物定义的掺杂物集中区。 | ||
| 地址 | 奥地利菲拉赫 | ||