| 发明名称 | 可调整栅极氧化层厚度的半导体器件制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种可调整栅极氧化层厚度的半导体器件制造方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面生长第一氧化层；图案化所述第一氧化层，以暴露对应栅极位置的第一氧化层；去除该暴露对应栅极位置的第一氧化层；将所述衬底浸泡在去离子水中生长第二氧化层；在所述第一氧化层和第二氧化层表面形成多晶硅层；刻蚀所述多晶硅层形成栅极。本发明的可调整栅极氧化层厚度的半导体器件制造方法能够精确地控制栅极氧化层的厚度，满足不同阈值电压的需要。 | ||
| 申请公布号 | CN101364535B | 申请公布日期 | 2013.03.06 |
| 申请号 | CN200710044802.2 | 申请日期 | 2007.08.09 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 陈泰江;王心 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 一种可调整栅极氧化层厚度的半导体器件制造方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面生长第一氧化层；在所述第一氧化层上形成图案化光刻胶，以暴露对应栅极位置的第一氧化层；去除该暴露对应栅极位置的第一氧化层，所述光刻胶和剩余的第一氧化层对应源漏极的位置；将带有光刻胶的所述衬底浸泡在去离子水中生长第二氧化层，其中，所述第二氧化层的厚度均匀，并且大于或者小于所述第一氧化层的厚度；在所述第一氧化层和第二氧化层表面形成多晶硅层；刻蚀所述多晶硅层形成栅极。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||