| 发明名称 | 一种制备P型SiC纳米线场效应管的方法 | ||
| 摘要 | 一种制备基于P型SiC纳米线的场效应管的方法，其包括以下具体步骤：(1)有机前驱体聚硅氮烷与一定量的硝酸铝混合均匀后在保护气氛N2或Ar气气氛下，于260℃进行低温交联固化，得到非晶态固体，然后球磨粉碎；(2)将粉碎得到的粉末置于Al2O3坩埚的底部，并在其上方放置C基板；(3)将Al2O3坩埚置于气氛烧结炉中，在Ar气氛保护下于1350～1550℃范围内进行高温热解，保温5～120min；(4)随炉冷却至室温，由此可在C基板上得到原位掺杂Al的SiC纳米线；(5)将得到的原位掺杂Al的SiC纳米线分散在乙醇溶液里，将此悬浮液旋涂在有氧化层的硅片上，采用光刻-蒸镀-剥离工艺在SiC纳米线两端分别制作源电极、漏电极，并以硅衬底作背栅极。与已报道的没有掺杂的SiC纳米线场效应管相比，本发明实现了P型SiC纳米线场效应管的制备。 | ||
| 申请公布号 | CN102148160B | 申请公布日期 | 2013.03.06 |
| 申请号 | CN201110020832.6 | 申请日期 | 2011.01.19 |
| 申请人 | 青岛大学 | 发明人 | 张新霓;陈友强 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种制备基于P型SiC纳米线的场效应管的新方法，其包括以下具体步骤：(1)有机前驱体聚硅氮烷与一定量的硝酸铝的混合物混合均匀后在保护气氛N2或Ar气气氛下，于260℃进行低温交联固化，得到非晶态固体；(2)将非晶态固体在球磨机中进行球磨粉碎；(3)将粉碎得到的粉末置于Al2O3坩埚的底部，在其上方放置C基板；(4)将Al2O3坩埚置于气氛烧结炉中，在Ar气氛保护下于1350～1550℃范围内进行高温热解，保温5～120min；(5)随炉冷却至室温，由此可在C基板上得到原位掺杂Al的SiC纳米线；(6)将得到的原位掺杂Al的SiC纳米线分散在乙醇溶液里，将此悬浮液旋涂在有氧化层的硅片上，采用光刻‑蒸镀‑剥离工艺在SiC纳米线两端分别制作源电极和漏电极，并以硅衬底作背栅极。 | ||
| 地址 | 266071 山东省青岛市崂山区中国香港东路7号 | ||