存储器件的形成方法

摘要

一种存储器件的形成方法，包括：提供形成有位线区及字线结构的衬底，所述字线结构包括两个相对设置的控制栅结构、其间的擦除栅结构、远离所述擦除栅结构一侧的字线区，及所述控制栅结构之间衬底内的源区，未被所述擦除栅结构覆盖的源区表面形成有第一氧化层；对所述第一氧化层进行离子掺杂，接着去除所述第一氧化层，以暴露出未被所述擦除栅结构覆盖的源区表面；形成位于所述未被所述擦除栅结构覆盖的源区的金属硅化物。对所述第一氧化层进行离子掺杂，降低所述第一氧化层的致密度，提高第一氧化层的刻蚀速率，以彻底去除所述第一氧化层，提高金属硅化物及连接结构与所述源区的连接可靠性，进而提高所述源区与外部电信号连接的可靠性。

主权项

一种存储器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底内形成有位线区；在所述衬底表面形成一个或一个以上的字线结构，所述字线结构的排列方向与位线区内的位线排列方向垂直，所述字线结构包括两个相对设置的控制栅结构、位于所述控制栅结构之间的擦除栅结构、位于所述控制栅结构中远离所述擦除栅结构一侧的字线区，及所述两个相对设置的控制栅结构之间衬底内的源区，其中，被所述擦除栅结构覆盖的源区表面形成有隧穿氧化层，未被所述擦除栅结构覆盖的源区表面形成有第一氧化层；形成位于所述未被所述擦除栅结构覆盖的源区上的金属硅化物，包括：对所述第一氧化层进行离子掺杂，接着去除所述第一氧化层，以暴露出未被所述擦除栅结构覆盖的源区表面；形成位于所述未被所述擦除栅结构覆盖的源区上的金属硅化物。