发明名称 | 光学临近效应修正在线监控的方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种光学临近效应修正在线监控的方法,包括步骤:收集产品的数据并进行统计分析;选择出需要监控的关键尺寸和空间周期;在硅片上添加监控图形,监控图形位于所述硅片的划片槽区域、或者芯片区域内部;通过监控所述监控图形来监控光学临近效应修正程序的预测的准确性。本发明能良好的监控光学临近效应修正程序对各种不同产品的图形的预测的准确性,从而能很方便的提高产品的良率。 | ||
申请公布号 | CN102955363A | 申请公布日期 | 2013.03.06 |
申请号 | CN201110239039.5 | 申请日期 | 2011.08.19 |
申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 陈福成 |
分类号 | G03F7/20(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/20(2006.01)I |
代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
主权项 | 一种光学临近效应修正在线监控的方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤一、收集产品的数据,所述产品的设计规则处的关键尺寸为最小关键尺寸、设计规则处的空间周期为最小空间周期,所述产品的数据包括所有大于等于所述最小关键尺寸的关键尺寸、和所有大于等于所述最小空间周期的空间周期,各所述关键尺寸和各所述空间周期都分别有对应的取值;按照所述取值的不同分别对所有的所述关键尺寸和所有的所述空间周期进行统计分析;步骤二、根据步骤一的统计分析结果,选择出需要监控的所述关键尺寸和所述空间周期;步骤三、在要形成所述产品的硅片上添加监控图形,所述监控图形用于监控步骤二中选定的需要监控的所述关键尺寸和所述空间周期;所述监控图形位于所述硅片的划片槽区域、或者位于所述硅片的形成所述产品的芯片区域内部;步骤四、通过监控所述监控图形来监控光学临近效应修正程序对所述产品的图形的预测的准确性。 | ||
地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 |