发明名称 |
具有电阻或电容的电路结构及其操作方法 |
摘要 |
本发明揭示一种具有电阻或电容的电路结构及其操作方法,该电路结构包含:一半导体基板,置于该基板内的一第一导电区,置于该第一导电区内的多个第二导电区及多个第三导电区,存在于该第一导电区及该第三导电区中间的一第一耗尽区,存在于该第二导电区及该第三导电区中间的一第二耗尽区,以及多个置于该第一导电区内的分隔区,分隔该多个第二导电区及第三导电区。该电路结构的操作方法如下:施加一第一电压于该分隔区以控制该电路结构的电容或电阻;施加一第二电压于该第一导电区及该第三导电区,并且施加一第三电压于该第二导电区以量测该电路结构的电容或电阻。本发明减低对芯片面积的需求,且工艺也相容于公知金属氧化物半导体晶体管领域。 |
申请公布号 |
CN102956637A |
申请公布日期 |
2013.03.06 |
申请号 |
CN201110290730.6 |
申请日期 |
2011.09.22 |
申请人 |
南亚科技股份有限公司 |
发明人 |
章正欣;陈逸男;刘献文 |
分类号 |
H01L27/08(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/08(2006.01)I |
代理机构 |
隆天国际知识产权代理有限公司 72003 |
代理人 |
赵根喜;冯志云 |
主权项 |
一种电路结构,包含:一半导体基板;一第一导电区,置于该基板内;多个第二导电区,置于该第一导电区内;多个第三导电区,置于该第一导电区内并位于该多个第二导电区下方;一第一耗尽区,存在于该第一导电区及该第三导电区中间;一第二耗尽区,存在于该第二导电区及该第三导电区中间;以及多个分隔区,置于该第一导电区内,并分隔该多个第二导电区及第三导电区;其特征在于该第一导电区、该多个第二导电区、该多个第三导电区、该第一耗尽区、该第二耗尽区,以及该多个分隔区形成一可调变电容或一可调变电阻。 |
地址 |
中国台湾桃园县 |