发明名称 压控振荡器的电路配置
摘要 压控振荡器的电路(1)包括:电桥结构,包括两个N型交叉耦合的晶体管(M3、M4)以及两个P型交叉耦合的晶体管(M5、M6);电流镜(3),连接到两个N型交叉耦合的晶体管(M3、M4)中并且配置为产生用于电路(1)的偏置电流(IB);LC谐振器(2),并联放置在两个N型交叉耦合的晶体管(M3、M4)和两个P型交叉耦合的晶体管(M5、M6)之间。电路(1)的特征在于LC谐振器(2)包括:两对差分电感器(L1、L2),通过互感系数(M)互相耦合,每对包括配置在外部环路的各个分支(10a)上的第一电感器(L1)以及安装在内部环路的各个分支(12a)上的第二电感器(L2);第一变抗器(CV33),连接到公共节点(A)以及内部环路的第一分支(12a);第二变抗器(CV33),连接到公共节点(A)以及内部环路的第二分支(12a)。
申请公布号 CN102959857A 申请公布日期 2013.03.06
申请号 CN201080057799.8 申请日期 2010.12.07
申请人 意法半导体有限公司 发明人 亚历山德罗·伊塔利;萨尔瓦托雷·迪玛蒂纳;卡洛杰罗·马尔科·伊波利托;朱塞佩·帕尔米萨诺
分类号 H03B5/12(2006.01)I;H03B1/00(2006.01)I 主分类号 H03B5/12(2006.01)I
代理机构 北京市金杜律师事务所 11256 代理人 王茂华;张宁
主权项 一种压控振荡器电路(1),包括:电桥结构,包括两个N型交叉耦合的晶体管(M3、M4)以及两个P型交叉耦合的晶体管(M5、M6);电流镜(3),连接至两个N型交叉耦合的晶体管(M3、M4)并且配置成产生用于电路(1)的偏置电流(IB);LC谐振器(2),并联地放置在两个N型交叉耦合的晶体管(M3、M4)和两个P型交叉耦合的晶体管(M5、M6)之间;所述电路(1)的特征在于LC谐振器(2)包括:以互感系数(M)互相耦合的两对差分电感器(L1、L2),每对差分电感器(L1、L2)包括配置在外部环路的各个分支(10a)上的第一电感器(L1)以及配置在内部环路的各个分支(12a)上的第二电感器(L2);第一变抗器(CV33),连接到公共节点(A)以及所述内部环路的第一分支(12a);第二变抗器(CV33),连接到公共节点(A)以及所述内部环路的第二分支(12a)。
地址 意大利阿格拉特布里安扎