发明名称 |
压控振荡器的电路配置 |
摘要 |
压控振荡器的电路(1)包括:电桥结构,包括两个N型交叉耦合的晶体管(M3、M4)以及两个P型交叉耦合的晶体管(M5、M6);电流镜(3),连接到两个N型交叉耦合的晶体管(M3、M4)中并且配置为产生用于电路(1)的偏置电流(IB);LC谐振器(2),并联放置在两个N型交叉耦合的晶体管(M3、M4)和两个P型交叉耦合的晶体管(M5、M6)之间。电路(1)的特征在于LC谐振器(2)包括:两对差分电感器(L1、L2),通过互感系数(M)互相耦合,每对包括配置在外部环路的各个分支(10a)上的第一电感器(L1)以及安装在内部环路的各个分支(12a)上的第二电感器(L2);第一变抗器(CV33),连接到公共节点(A)以及内部环路的第一分支(12a);第二变抗器(CV33),连接到公共节点(A)以及内部环路的第二分支(12a)。 |
申请公布号 |
CN102959857A |
申请公布日期 |
2013.03.06 |
申请号 |
CN201080057799.8 |
申请日期 |
2010.12.07 |
申请人 |
意法半导体有限公司 |
发明人 |
亚历山德罗·伊塔利;萨尔瓦托雷·迪玛蒂纳;卡洛杰罗·马尔科·伊波利托;朱塞佩·帕尔米萨诺 |
分类号 |
H03B5/12(2006.01)I;H03B1/00(2006.01)I |
主分类号 |
H03B5/12(2006.01)I |
代理机构 |
北京市金杜律师事务所 11256 |
代理人 |
王茂华;张宁 |
主权项 |
一种压控振荡器电路(1),包括:电桥结构,包括两个N型交叉耦合的晶体管(M3、M4)以及两个P型交叉耦合的晶体管(M5、M6);电流镜(3),连接至两个N型交叉耦合的晶体管(M3、M4)并且配置成产生用于电路(1)的偏置电流(IB);LC谐振器(2),并联地放置在两个N型交叉耦合的晶体管(M3、M4)和两个P型交叉耦合的晶体管(M5、M6)之间;所述电路(1)的特征在于LC谐振器(2)包括:以互感系数(M)互相耦合的两对差分电感器(L1、L2),每对差分电感器(L1、L2)包括配置在外部环路的各个分支(10a)上的第一电感器(L1)以及配置在内部环路的各个分支(12a)上的第二电感器(L2);第一变抗器(CV33),连接到公共节点(A)以及所述内部环路的第一分支(12a);第二变抗器(CV33),连接到公共节点(A)以及所述内部环路的第二分支(12a)。 |
地址 |
意大利阿格拉特布里安扎 |