| 发明名称 | 固态成像设备、固态成像设备的制造方法及电子设备 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种固态成像设备、固态成像设备的制造方法及电子设备。该固态成像设备包括：光电转换部分，产生与接收的光量对应的信号电荷；以及多个像素晶体管，读取在该光电转换部分中产生的信号电荷并且包括放大晶体管，该放大晶体管由放大栅极电极、高浓度杂质区域和低浓度杂质区域形成，放大栅极电极形成在基板上，高浓度杂质区域形成在该放大栅极电极的漏极侧的基板区域中，低浓度杂质区域形成为具有比高浓度杂质区域低的杂质浓度且形成在该放大栅极电极的源极侧的基板区域中。 | ||
| 申请公布号 | CN102956658A | 申请公布日期 | 2013.03.06 |
| 申请号 | CN201210295800.1 | 申请日期 | 2012.08.17 |
| 申请人 | 索尼公司 | 发明人 | 大石哲也 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I;H01L27/148(2006.01)I;H04N5/374(2011.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 焦玉恒 |
| 主权项 | 一种固态成像设备，包括：光电转换部分，产生与接收的光量对应的信号电荷；以及多个像素晶体管，读取在该光电转换部分中产生的信号电荷并且包括放大晶体管，该放大晶体管由放大栅极电极、高浓度杂质区域和低浓度杂质区域形成，该放大栅极电极形成在基板上，该高浓度杂质区域形成在该放大栅极电极的漏极侧的基板区域中，该低浓度杂质区域形成为具有比该高浓度杂质区域低的杂质浓度且形成于该放大栅极电极的源极侧的基板区域。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||