制造一种凹入式沟道存取晶体管器件的方法

摘要

本发明公开了一种制作凹入式沟道存取晶体管器件的方法。首先，提供一半导体衬底，其上具有一凹槽蚀入其主表面中。之后形成一栅极介电层在所述凹槽的内表面。再于之后形成一凹入式栅极在所述凹槽之中与之上。所述凹入式栅极包含一嵌入所述凹槽中与所述主表面下的凹入式栅部以一位在所述主表面上方的上栅部。所述凹入式栅极的一裸露侧壁会受到等向性蚀刻，因而形成一宽度小于所述凹入式栅部的经修整颈部。之后所述经修整颈部的一裸露侧壁会被氧化。

主权项

一种制作凹入式沟道存取晶体管器件的方法，其特征在于，包含：提供一半导体基材，其主表面上具有一凹槽；于所述凹槽内形成一栅极介电层；于凹槽内形成一凹入式栅极，其中所述凹入式栅极包含一凹入式栅部，嵌入在所述凹槽内且位于所述主表面下，以及一上栅部，位于所述主表面上；等向性蚀刻所述凹入式栅极的裸露侧壁，俾形成一经修整的颈部，其宽度小于所述凹入式栅极的宽度；以及氧化所述经修整的颈部的裸露侧壁。