| 发明名称 | 半导体器件结构及其制作方法、及半导体鳍制作方法 | ||
| 摘要 | 本申请公开了一种半导体器件结构及其制作方法、及半导体鳍制作方法。该半导体器件结构制作方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上沿第一方向形成鳍；在半导体衬底上沿与第一方向交叉的第二方向形成栅极线，所述栅极线经由栅介质层与鳍相交；绕所述栅极线形成电介质侧墙；以及在预定区域处，实现器件间电隔离，被隔离的栅极线部分形成相应单元器件的栅电极。 | ||
| 申请公布号 | CN102956457A | 申请公布日期 | 2013.03.06 |
| 申请号 | CN201110240931.5 | 申请日期 | 2011.08.22 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 钟汇才;梁擎擎;罗军;赵超 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 倪斌 |
| 主权项 | 一种制作半导体器件结构的方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上沿第一方向形成鳍；在半导体衬底上沿与第一方向交叉的第二方向形成栅极线，所述栅极线经由栅介质层与鳍相交；绕所述栅极线形成电介质侧墙；以及在预定区域处，实现器件间电隔离，被隔离的栅极线部分形成相应单元器件的栅电极。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||