一种发光二极管芯片及其制造方法

摘要

本发明涉及一种发光二极管芯片及其制造方法。发光二极管芯片包括衬底、外延层、透明导电层、P电极和N电极，所述外延层包括N型GaN层、量子阱层、P型GaN层，所述芯片边缘及外延层侧面制成锯齿状，所述锯齿状部分形成于整个芯片的切割道中。制造方法是在外延层上面用光刻板进行光刻，再进行ICP刻蚀、去胶，芯片表面的切割道中形成外延层结构完整的小凸起，小凸起周围的区域被刻蚀露出N型GaN层；在芯片正面进行激光划片，形成规则的锯齿行，湿法腐蚀后完成通常芯片制作。本发明提高了发光二极管芯片出光效率，制备工艺简单。

主权项

一种发光二极管芯片，包括蓝宝石衬底或SiC衬底、外延层、透明导电层(ITO)、P电极和N电极，所述外延层包括N型GaN层(N‑GaN)、量子阱层、P型GaN层(P‑GaN)，其特征在于，所述芯片边缘及外延层侧面制成锯齿状，所述锯齿状部分形成于整个芯片的切割道中。