| 发明名称 | 一种改进的可控硅结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种改进的可控硅结构，包括台面槽、穿通环、长基区、正面短基区、背面短基区、阴极区和门极区，其特征在于：阴极区和门极区之间开有阴极门极间槽，阴极门极间槽内填充有玻璃粉。本实用新型的优点是：耐压高，漏电低，也不存在反型条件和表面烧毁现象，大大提高了可控硅的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN202772138U | 申请公布日期 | 2013.03.06 |
| 申请号 | CN201220348436.6 | 申请日期 | 2012.07.18 |
| 申请人 | 启东吉莱电子有限公司 | 发明人 | 耿开远;周建;朱法扬 |
| 分类号 | H01L29/74(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/74(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人 | 卢海洋 |
| 主权项 | 一种改进的可控硅结构，包括台面槽、穿通环、长基区、正面短基区、背面短基区、阴极区和门极区，所述穿通环设于长基区的四周，其特征在于：所述阴极区和门极区之间开有阴极门极间槽，所述阴极门极间槽内填充有玻璃粉。 | ||
| 地址 | 226200 江苏省南通市启东市汇龙镇公园北路1261号 | ||