光刻胶形貌表征方法

摘要

本发明涉及半导体制造领域，公开了一种光刻胶形貌表征方法，测定光刻胶曝光区域侧壁斜率变化的拐点，并根据所述拐点将光刻胶侧壁划分为若干区间，通过测量每一区间顶部线宽、底部线宽及区间深度，计算得到该区间侧壁倾角，拟合各所述区间的侧壁倾角、区间深度得到所述光刻胶形貌。该方法所需的各种测量均为自上而下俯视进行的线宽测量，在表征过程中无需对待测晶圆进行切片，不进行断面扫描，能够实现对光刻胶侧壁形貌的精准表征、且不带来任何不可恢复性损伤，不仅可用于对光刻胶工艺能力的改善、验证，还适用于生产工艺过程中的质量控制，能够进一步保证光刻质量，有效提高器件集成度及工业成品率。

主权项

一种光刻胶形貌表征方法，其特征在于，测定光刻胶曝光区域侧壁斜率变化的拐点，并根据所述拐点将光刻胶侧壁划分为若干区间，通过测量每一区间顶部线宽、底部线宽及区间深度，计算得到该区间侧壁倾角，拟合各所述区间的侧壁倾角、区间深度得到所述光刻胶侧壁形貌。