半导体器件及其制造方法

摘要

本公开实施例提供了一种半导体器件及其制造方法。所述方法包括：在衬底上形成氮化物层，以及形成宽线区沟槽和密线区沟槽；在所形成的宽线区沟槽和密线区沟槽的底部和侧壁上形成第一绝缘层；去除仅所述宽线区沟槽底部上的部分厚度或全部厚度的第一绝缘层；淀积第二绝缘层以填充所述宽线区沟槽和密线区沟槽；以及利用化学机械平坦工艺，以所述氮化物层为阻挡层，整平所述宽线区沟槽和密线区沟槽外的第二绝缘层。本公开实施例的方法通过去除宽线区沟槽底部上的部分厚度或全部厚度的第一绝缘层，来提高宽线区沟槽内第二绝缘层的淀积率，由此减小了淀积的第二绝缘层在宽线区与密线区上的差异，从而减轻或者消除化学机械平坦工艺中出现的碟形缺陷。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在衬底上形成氮化物层，以及形成宽线区沟槽和密线区沟槽；在所形成的宽线区沟槽和密线区沟槽的底部和侧壁上形成第一绝缘层；去除所述宽线区沟槽底部上的部分厚度或全部厚度的第一绝缘层；淀积第二绝缘层以填充所述宽线区沟槽和密线区沟槽；以及利用化学机械平坦工艺，以所述氮化物层为阻挡层，整平所述宽线区沟槽和密线区沟槽外的第二绝缘层。