| 发明名称 | 半导体芯片、封装体以及制造半导体芯片和封装体的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了半导体芯片、封装体以及制造半导体芯片和封装体的方法。半导体芯片包括第一半导体芯片和接合到第一半导体芯片的第二半导体芯片。第一半导体芯片包括具有第一底表面的第一基板。第二半导体芯片包括具有第二底表面的第二基板。第一底表面直接接触第二底表面。 | ||
| 申请公布号 | CN102956616A | 申请公布日期 | 2013.03.06 |
| 申请号 | CN201210395117.5 | 申请日期 | 2012.08.08 |
| 申请人 | 爱思开海力士有限公司 | 发明人 | 黄仁哲;金载勉;金承知;李赈洙 |
| 分类号 | H01L23/538(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/538(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 邱军 |
| 主权项 | 一种双层结构半导体芯片，该半导体芯片包括：第一半导体芯片，包括具有第一底表面的第一基板；以及第二半导体芯片，包括具有第二底表面的第二基板，其中该第一底表面直接接触该第二底表面。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||