用于光发射的基于纳米线的光电器件

摘要

一种光电器件，其包括：活性半导体区域（84），其用于电子-空穴对的辐射复合，以至少一根纳米线的形式制成，所述纳米线由非故意掺杂半导体材料制成；半导体区域（88），其用于空穴到所述或每根纳米线中的径向注入，其由具有第一导电类型和比形成所述纳米线的材料的带隙小的带隙的掺杂半导体材料制成；以及半导体区域（82），其用于电子到所述或每根纳米线中的轴向注入，其由具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的掺杂半导体材料制成。

主权项

一种光电器件，包括：■活性半导体区域（84），其用于电子‑空穴对的辐射复合，所述活性半导体区域（84）以至少一根纳米线的形式制成，所述至少一根纳米线由非故意掺杂半导体材料制成；■用于空穴到所述或每根纳米线中的径向注入的半导体区域（88），该用于空穴注入的半导体区域（88）由具有第一导电类型和比形成所述纳米线的材料的带隙小的带隙的掺杂半导体材料制成；以及■用于电子到所述或每根纳米线中的轴向注入的半导体区域（82），该用于电子注入的半导体区域（82）由具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的掺杂半导体材料制成。