| 主权项 |
一种内嵌式存储器件的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括逻辑区和存储区，其中，所述逻辑区包含不少于两个的子区域，按照后续待形成逻辑栅极的厚度从小到大排布，所述逻辑区域划分为第一子区域、第二子区域、…及第N子区域，所述逻辑区的子区域数目为N；首先，在所述基底表面形成第一栅极层，所述第一栅极层覆盖所述逻辑区和存储区，在对应于所述第一子区域的第一栅极层表面形成第一阻挡层；接着形成第二栅极层，在对应于所述第二子区域的第二栅极层表面形成第二阻挡层，所述第二栅极层覆盖所述逻辑区和存储区；直至依次形成第N栅极层，在对应于所述第N子区域的第N栅极层表面形成第N阻挡层，所述第N栅极层覆盖所述逻辑区和存储区；其中，按照阻挡层的厚度从大到小排布，依次为第一阻挡层、第二阻挡层、…及第N阻挡层；去除覆盖上述各个阻挡层表面的栅极层，暴露出第一阻挡层、第二阻挡层…第N阻挡层；去除所述第一阻挡层、第二阻挡层…第N阻挡层，形成对应的第一凹槽、第二凹槽、…第N凹槽；图案化刻蚀所述第一凹槽、第二凹槽、…第N凹槽，形成分别位于所述第一子区域、第二子区域、…及第N子区域对应的第一逻辑栅极、第二逻辑栅极、…及第N逻辑栅极，按照逻辑栅极的厚度从小到大排布，依次为第一逻辑栅极、第二逻辑栅极、…及第N逻辑栅极。 |
