发明名称 |
一种制作半导体器件的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种用于制作半导体器件的方法。该方法中在制作多晶硅栅极之前加入了对多晶硅层的化学机械平坦化处理步骤,从而使得后续制作得到的多晶硅栅极都在相同的高度上,避免了现有技术中的氮化硅残留问题。因此,能够提高半导体器件的成品率,改善器件性能。 |
申请公布号 |
CN102956450A |
申请公布日期 |
2013.03.06 |
申请号 |
CN201110235045.3 |
申请日期 |
2011.08.16 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
发明人 |
蒋莉;黎铭琦 |
分类号 |
H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/28(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
马景辉 |
主权项 |
一种制作半导体器件的方法,包括以下步骤:在半导体衬底上形成隔离槽;在半导体衬底上沉积绝缘材料层;去除半导体衬底表面的绝缘材料,仅留下所述隔离槽中的绝缘材料;在半导体衬底上形成栅极氧化物;在所述栅极氧化物上沉积多晶硅层;对所述多晶硅层进行化学机械平坦化处理,使得所述多晶硅层表面变得平坦;利用所述多晶硅层形成多晶硅栅极。 |
地址 |
100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号 |