| 发明名称 | 一种半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有虚拟栅极结构，所述虚拟栅极结构包括覆盖层和牺牲栅电极层；在所述虚拟栅极结构的顶部和侧面形成一侧壁，所述侧壁不含有氧；在所述虚拟栅极结构的两侧形成紧靠所述侧壁的间隙壁结构；去除所述牺牲栅电极层，以在所述间隙壁结构的中间形成一栅沟槽；实施金属栅的回填，以填充所述栅沟槽。根据本发明，在形成CMOS器件的高k金属栅极结构的侧壁的过程中，可以避免在所述高k金属栅极结构的覆盖层和金属栅极之间形成界面层。 | ||
| 申请公布号 | CN102956456A | 申请公布日期 | 2013.03.06 |
| 申请号 | CN201110239277.6 | 申请日期 | 2011.08.19 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 平延磊 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;顾珊 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有虚拟栅极结构，所述虚拟栅极结构包括覆盖层和牺牲栅电极层；在所述虚拟栅极结构的顶部和侧面形成一侧壁，所述侧壁不含有氧；在所述虚拟栅极结构的两侧形成紧靠所述侧壁的间隙壁结构； 去除所述牺牲栅电极层，以在所述间隙壁结构的中间形成一栅沟槽；实施金属栅的回填，以填充所述栅沟槽。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||