| 发明名称 | 功率半导体布置、具有多个该布置的功率半导体模块以及包含多个该模块的模块组装件 | ||
| 摘要 | 本发明名称为“功率半导体布置、具有多个功率半导体布置的功率半导体模块以及包含多个功率半导体模块的模块组装件”。本发明提供功率半导体布置(1)，其包括含钼层(4)的基板(2)，以及安放到基板(2)顶面并与之电耦合及热耦合的功率半导体器件(3)，其中基板(2)包含金属安放基底(6)，金属安放基底(6)设置在半导体器件(3)与钼层(4)之间并防止钼层(4)与半导体器件(3)形成高电阻金属间相。本发明进一步提供半导体模块，特别是具有多个半导体布置的功率半导体模块，其中功率半导体布置(1)的基板(2)是公共基板(2)。本发明还提供模块组装件，特别是功率半导体模块组装件，其包含多个功率半导体模块，其中半导体模块互相并排设置且相邻半导体模块之间有电连接。 | ||
| 申请公布号 | CN102956571A | 申请公布日期 | 2013.03.06 |
| 申请号 | CN201210291910.0 | 申请日期 | 2012.08.16 |
| 申请人 | ABB技术有限公司 | 发明人 | F.杜加尔 |
| 分类号 | H01L23/14(2006.01)I;H01L23/373(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 姜甜;李浩 |
| 主权项 | 功率半导体布置(1)，包括包含钼层(4)的基板(2)，以及功率半导体器件(3)，其安放到所述基板(2)的顶面并与之电耦合和热耦合，以及母座，其在所述基板(2)的相对侧上设置到所述功率半导体器件旁边，其特征在于所述基板(2)包含金属安放基底(6)，所述金属安放基底(6)设置在所述半导体器件(3)与所述钼层(4)之间并且防止所述钼层(4)与所述半导体器件(3)形成高电阻金属间相。 | ||
| 地址 | 瑞士苏黎世 | ||