进行等离子体增强原子层沉积的方法和系统

摘要

本发明提供了一种在衬底上进行气相沉积的方法、计算机可读介质和系统，包括：将气态膜前驱体引入处理空间；将所述处理空间的体积从第一体积增至第二体积以形成增大的处理空间；将还原气体引入所述增大的处理空间；由所述还原气体形成还原等离子体。用于气相沉积的系统包括具有第一处理空间和第二处理空间的处理室，第二处理空间包括第一处理空间并且具有大于第一体积的第二体积。第一处理空间被配置用于原子层沉积，第二处理空间被配置用于将在第一处理空间沉积的层等离子体还原。

主权项

一种在气相沉积系统中在衬底上形成薄膜的方法，包括：将衬底放置在所述气相沉积系统的处理室中的衬底支架上，所述处理室具有所述衬底上方限定的第一处理空间，所述第一处理空间具有第一体积；使用等离子体增强原子层沉积(PEALD)工艺在所述衬底上沉积薄膜，所述等离子体增强原子层沉积工艺包括：通过下述步骤将气态膜前驱体引入到所述衬底的表面：调整所述处理室处理体积从而形成第二处理空间，所述第二处理空间包含在所述处理室内，并包括所述第一处理空间的一部分，且所述第二处理空间具有小于所述第一体积的第二体积；在第一时间段内将包括所述气态膜前驱体的第一处理材料引入到所述第二处理空间内；和在所述第一时间段内在所述第二处理空间内将所述衬底暴露于所述第一处理材料；通过下述步骤使所述衬底的所述表面上的所述气态膜前驱体与等离子体反应形成薄膜：调整所述处理室处理体积从而重新形成所述第一处理空间；将第二处理材料引入到所述第一处理空间内；在所述第一处理空间内从所述第二处理材料形成所述等离子体，和在所述第一时间段之后将所述衬底暴露于所述第二处理材料持续第二时间段。