| 发明名称 | 一种测量GaN基器件热可靠性的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种测量GaN基器件热可靠性的方法，包括：测量多个被测GaN基器件在不同栅压下漏压和漏电流的大小，并计算得到该多个被测GaN基器件的直流稳态功率；采用显微红外热像仪测量该多个被测GaN基器件的峰值结温，由该峰值结温计算得到该多个被测GaN基器件的峰值热阻；采用数学拟和得到该多个被测GaN基器件的峰值结温与直流稳态功率之间的关系以及峰值热阻与直流稳态功率之间的关系；结合得到的峰值结温与直流稳态功率之间的关系以及峰值热阻与直流稳态功率之间的关系，分析该多个被测GaN基器件的显微红外热像图，实现对GaN基器件热可靠性的测量。本发明实现了对GaN基HEMT器件热可靠性有效评估，对器件的结构优化和器件工艺的改进都具有重要的指导意义。 | ||
| 申请公布号 | CN102955113A | 申请公布日期 | 2013.03.06 |
| 申请号 | CN201110236600.4 | 申请日期 | 2011.08.17 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 赵妙;刘新宇;罗卫军;郑英奎;陈晓娟;彭铭曾;李艳奎 |
| 分类号 | G01R31/26(2006.01)I;G01J5/00(2006.01)I | 主分类号 | G01R31/26(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 一种测量GaN基器件热可靠性的方法，其特征在于，包括：测量多个被测GaN基器件在不同栅压下漏压和漏电流的大小，并计算得到该多个被测GaN基器件的直流稳态功率；采用显微红外热像仪测量该多个被测GaN基器件的峰值结温，由该峰值结温计算得到该多个被测GaN基器件的峰值热阻；采用数学拟和得到该多个被测GaN基器件的峰值结温与直流稳态功率之间的关系以及峰值热阻与直流稳态功率之间的关系；结合得到的峰值结温与直流稳态功率之间的关系以及峰值热阻与直流稳态功率之间的关系，分析该多个被测GaN基器件的显微红外热像图，实现对GaN基器件热可靠性的测量。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||