发明名称 |
一个击穿电压可以调整RF-LDMOS器件 |
摘要 |
本实用新型公开了一个击穿电压可以调整RF-LDMOS器件,其包括衬底,所述衬底上设置有源极和漏极,所述源极和漏极之间通过沟道连接在一起,所述沟道上设置有栅极,所述栅极和所述沟道之间设置有氧化层,所述漏极包括漂移区,其特征在于:所述漂移区上设置有至少一个场板,所述场板和所述漂移区之间设置有绝缘层,所述场板和所述源极之间绝缘,所述场板的电压可以调节。本实用新型通过调节场板上的电压,从而实现击穿电压能够根据所需要工作的频率进行动态的调整。当器件工作在较低的频率,需要提供较大的输出功率的时候,可以提高器件的击穿电压。当器件工作在较高的频率,需要提高截止频率来保证足够的增益的时候,可以降低器件的击穿电压。 |
申请公布号 |
CN202772139U |
申请公布日期 |
2013.03.06 |
申请号 |
CN201220352270.5 |
申请日期 |
2012.07.20 |
申请人 |
昆山华太电子技术有限公司 |
发明人 |
曾大杰;余庭;赵一兵;张耀辉 |
分类号 |
H01L29/78(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01)I |
代理机构 |
南京纵横知识产权代理有限公司 32224 |
代理人 |
董建林 |
主权项 |
一个击穿电压可以调整RF‑LDMOS器件,其包括衬底,所述衬底上设置有源极和漏极,所述源极和漏极之间通过沟道连接在一起,所述沟道上设置有栅极,所述栅极和所述沟道之间设置有氧化层,所述漏极包括漂移区,其特征在于:所述漂移区上设置有至少一个场板,所述场板和所述漂移区之间设置有绝缘层,所述场板和所述源极之间绝缘,所述场板的电压可以调节。 |
地址 |
215300 江苏省苏州市昆山市周庄镇秀海路188号 |