真空处理装置及等离子体处理方法

摘要

提供一种抑制脊形电极及基板的热变形，对于大型的基板也能进行稳定的等离子体处理的真空处理装置。具有：放电室（2），由脊形波导管构成，该脊形波导管具有生成等离子体的排气侧脊形电极（21a）及基板侧脊形电极（21b）；一对转换器，将高频电力转换成方形波导管的基本传送模式即TE模式而向放电室（2）传送，并使排气侧脊形电极（21a）及基板侧脊形电极（21b）之间产生等离子体；均热调温器（40），设置在基板侧脊形电极（21b）的外表面侧，并使温度均匀地进行加热；热吸收调温单元（50），设置在排气侧脊形电极（21a）的外表面侧，并控制实施等离子体处理的基板（S）的板厚方向的热流束，将基板（S）设置在排气侧脊形电极（21a）及基板侧脊形电极（21b）之间而实施等离子体处理。

主权项

一种真空处理装置，其特征在于，具有：放电室，由脊形波导管构成，该脊形波导管具有形成为平板状而相互平行地对向配置的一方的脊形电极及另一方的脊形电极，在所述一方的脊形电极及所述另一方的脊形电极之间生成等离子体；一对转换器，与该放电室的两端相邻配置，由具有相互平行地对向配置的一对脊形部的脊形波导管构成，将从高频电源供给的高频电力转换成方形波导管的基本传送模式而向所述放电室传送，并在所述一方的脊形电极及另一方的脊形电极之间产生等离子体；均热调温器，设置在所述另一方的脊形电极的外表面侧，控制所述另一方的脊形电极的温度；热吸收调温单元，设置在所述一方的脊形电极的外表面侧，控制所述一方的脊形电极的温度；排气单元，排出所述放电室及所述转换器的内部的气体；以及母气体供给单元，向所述一方的脊形电极及另一方的脊形电极之间供给对基板实施等离子体处理所需的母气体，所述基板设置在所述一方的脊形电极及另一方的脊形电极之间而被实施等离子体处理。