发明名称 透明导电性基材
摘要 本发明涉及一种在基材的单面或者双面上依次层积透明导电性薄膜层、透明金属氧化物层的透明导电性基材及其制备方法,所述透明导电性基材的特征在于,该透明金属氧化物层具有贯通表面和背面的多个微细空孔,该空孔的孔径为相反面侧大于与该透明导电性薄膜邻接面侧,所述透明导电性基材的制备方法的特征在于,通过倾斜蒸镀法,在所述透明导电性薄膜层的表面上,形成所述透明金属氧化物层。
申请公布号 CN102959642A 申请公布日期 2013.03.06
申请号 CN201180023712.X 申请日期 2011.05.11
申请人 名阪真空工业株式会社 发明人 河添昭造;桥本健司
分类号 H01B5/14(2006.01)I;B32B7/02(2006.01)I;B32B9/00(2006.01)I;C23C14/24(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I 主分类号 H01B5/14(2006.01)I
代理机构 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人 张晶;经志强
主权项 透明导电性基材,在基材的单面或者双面,依次层积透明导电性薄膜层、透明金属氧化物层,其特征在于,该透明金属氧化物层具有贯通表面和背面的多个微细空孔,该空孔的孔径为相反面侧大于与该透明导电性薄膜邻接面侧。
地址 日本大阪府