一种弯曲衬底侧面的发光二极管芯片及其制备方法

摘要

本发明涉及本一种具有弯曲衬底侧面的发光二极管及其制备方法；通过两束光激光束对晶片进行划片时，调整两束激光束聚焦点在晶片中的位置，使得二极管芯片的衬底侧面是倾斜/弯曲的，并能降低总的划片深度，本发明改善了传统发光二极管芯片出光效率低的缺陷，所制得的发光二极管芯片出光效率得到提高，并且裂片成品率和均匀性得到改善。

主权项

一种发光二极管芯片，该芯片包括衬底层以及层叠于衬底层上的外延层，其特征在于，所述衬底的侧面是倾斜的或弯曲的，衬底的两两相对的侧面类似于平行四边形形状倾斜或弯曲，即，两两相对的侧面形成弯曲形状和角度相同的侧面，所述发光二极管芯片由包括以下步骤的方法制备：1)、采用相对位置为（x，y，z）的两束激光束对二极管芯片进行划片加工，其中，y≠0，z≠0，所述二极管芯片包括衬底层和层叠于衬底层上的外延层；2)、当y和z值满足y≤z≤D时，芯片被激光灼烧后产生的微裂纹能够连成一片，其中D为芯片的厚度；3)、对芯片进行裂片加工，对芯片的灼烧位置进行弯曲和敲击，芯片沿着微裂纹的位置断裂开来，从而形成侧面，由于y≠0且z≠0，灼烧痕迹间由于断裂形成的侧面相对于芯片正面平面是倾斜或弯曲的。