| 发明名称 | 形成互连结构的方法 | ||
| 摘要 | 一种形成互连结构的方法，包括：提供依次包括互连层、第一介质层和第二介质层的晶圆，所述第一介质层中形成有导电插塞；用干式蚀刻在所述第二介质层中形成开口，以暴露出所述导电插塞；对所述暴露出导电插塞的晶圆进行热处理工艺；在所述第二介质层的开口中填充金属。所述形成互连结构的方法可以降低导电插塞的阻值，改善互连结构的导电性能。 | ||
| 申请公布号 | CN101996932B | 申请公布日期 | 2013.03.06 |
| 申请号 | CN200910056735.5 | 申请日期 | 2009.08.20 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 陈险峰;王玉科 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/321(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 吴靖靓;李丽 |
| 主权项 | 一种形成互连结构的方法，其特征在于，包括：提供依次包括互连层、第一介质层和第二介质层的晶圆，所述第一介质层中形成有导电插塞；用干式蚀刻在所述第二介质层中形成开口，以暴露出所述导电插塞；对所述暴露出导电插塞的晶圆进行第一热处理工艺，以使所述导电插塞中因干式蚀刻形成的非晶态金属再结晶；所述第一热处理工艺的加热温度为500℃～760℃，加热时间为25±5s；在所述第二介质层的开口中填充金属。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||