| 发明名称 | 多晶硅薄膜的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种掩膜金属诱导晶化的多晶硅薄膜的制备方法，包括：步骤1)、以等离子体化学气相沉积二氧化硅到玻璃衬底上，再以低压化学气相沉积非晶硅；步骤2)、非晶硅表面形成纳米二氧化硅层，通过光刻工艺形成诱导窗口，诱导线处形成薄的化学氧化层；步骤3)、二氧化硅层和化学氧化层上溅射一层薄的镍硅氧化物，高温退火将非晶硅全部晶化。 | ||
| 申请公布号 | CN102956499A | 申请公布日期 | 2013.03.06 |
| 申请号 | CN201110351984.4 | 申请日期 | 2011.11.09 |
| 申请人 | 广东中显科技有限公司 | 发明人 | 赵淑云;郭海成;王文 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京瑞恒信达知识产权代理事务所(普通合伙) 11382 | 代理人 | 苗青盛;王凤华 |
| 主权项 | 一种掩膜金属诱导晶化的多晶硅薄膜的制备方法，包括：步骤1)、以等离子体化学气相沉积二氧化硅到玻璃衬底上，再以低压化学气相沉积非晶硅；步骤2)、非晶硅表面形成纳米二氧化硅层，通过光刻工艺形成诱导窗口，诱导线处形成薄的化学氧化层；步骤3)、二氧化硅层和化学氧化层上溅射一层薄的镍硅氧化物，高温退火将非晶硅全部晶化。 | ||
| 地址 | 528225 广东省佛山市南海区狮山工业园北园中路11号 | ||