存储器编程方法及应用其的闪存装置

摘要

本发明公开了一种存储器编程方法及应用其的闪存装置。其中，存储器编程方法，应用于包括第一及第二存储器层面(Plane)的闪存，包括下列步骤：接收包括编程逻辑地址的编程指令；建立第一逻辑至实体(Logic-to-Physical，L2P)对照表将编程逻辑地址对应至第一存储器层面中的主存储空间；判断闪存是否操作于随取操作(Random Access)模式；若是，建立第二L2P对照表将编程逻辑地址对应至第二存储器层面中的备份存储空间；将编程数据同时写入主存储空间及第二存储器层面的备份存储空间；然后判断主存储空间是否编程成功；若否，将对应至主存储空间的地址指向备份存储空间。

主权项

一种存储器编程方法，应用于一闪存，其中该闪存包括一第一存储器层面(Plane)及一第二存储器层面，该存储器编程方法包括：接收一编程指令，包括一编程逻辑地址；建立一第一逻辑至实体(Logic‑to‑Physical，L2P)对照表，以将该编程逻辑地址对应至该第一存储器层面中的一主存储空间；判断该闪存是否操作于一随取操作(Random Access)模式；当该闪存操作于该随取操作模式时，建立一第二L2P对照表，以将该编程逻辑地址对应至该第二存储器层面中的一备份存储空间；以及对该第一及该第二存储器层面同时进行编程，以将一编程数据写入该第一存储器层面的该主存储空间及写入该第二存储器层面的该备份存储空间。