发明名称 一种发光二极管
摘要 本实用新型适用于光电技术领域,提供了一种发光二极管,包括发光二极管芯片和反光二极管基板,发光二极管芯片倒置的方式设置在反光二极管基板上,其中:发光二极管芯片设有一透明的蓝宝石衬底,通过焊接方式设置在蓝宝石衬底上的GaN结构层,GaN结构层的下表面设置有P电极和N电极;反光二极管基板一掺杂有N型单面抛光单晶形成的单晶衬底,单晶衬底的抛光面上设有一层生长氧化层,生长氧化层上设有若干个用以形成P型层的扩散窗口,P型层上设有接触层,接触层上设有金属层,金属层连接发光二极管芯片的电极,所述接触层上设有延伸电极。本实用新型结构简单,使用该发光二极管的LED,散热效果好,保证了LED的使用寿命。
申请公布号 CN202772175U 申请公布日期 2013.03.06
申请号 CN201220475408.0 申请日期 2012.09.18
申请人 泰州普吉光电股份有限公司 发明人 徐广忠
分类号 H01L33/02(2010.01)I;H01L33/64(2010.01)I 主分类号 H01L33/02(2010.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种发光二极管,其特征在于,所述发光二极管包括发光二极管芯片和反光二极管基板,所述发光二极管芯片倒置的方式设置在所述反光二极管基板上,其中:所述发光二极管芯片设有一透明的蓝宝石衬底,通过焊接方式设置在所述蓝宝石衬底上的GaN结构层,所述GaN结构层的下表面设置有P电极和N电极;所述反光二极管基板一掺杂有N型单面抛光单晶形成的单晶衬底,所述单晶衬底的抛光面上设有一层生长氧化层,所述生长氧化层上设有若干个用以形成P型层的扩散窗口,所述P型层上设有接触层,所述接触层上设有金属层,所述金属层连接发光二极管芯片的电极,所述接触层上设有延伸电极。
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